發(fā)射光譜分析是根據被測原子或分子在激發(fā)狀態(tài)下發(fā)射的特征光譜的強度計算其含量。

技術性能及指標

1.   分光室設計

  帕邢-龍格結構,羅蘭圓直徑400mm

  波長范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運行時間小于5%

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數字等離子火花光源技術

  高能預燃技術 (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺

  3mm樣品臺分析間隙

  噴射電極技術

  設計的氣路系統(tǒng)，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機功率70W

原子發(fā)射光譜分析是根據原子所發(fā)射的光譜來測定物質的化學組分的。不同物質由不同元素的原子所組成，而原子都包含著一個結構緊密的原子核，核繞著不斷運動的電子。每個電子處于一定的能級上，具有一定的能量。在正常的情況下，原子處于穩(wěn)定狀態(tài)，它的能量是的，這種狀態(tài)稱為基態(tài)。但當原子受到能量（如熱能、電能等）的作用時，原子由于與高速運動的氣態(tài)粒子和電子相互碰撞而獲得了能量，使原子中外層的電子從基態(tài)躍遷到更高的能級上，處在這種狀態(tài)的原子稱激發(fā)態(tài)。電子從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)所需的能量稱為激發(fā)電位，當外加的能量足夠大時，原子中的電子脫離原子核的束縛力，使原子成為離子，這種過程稱為電離。原子失去一個電子成為離子時所需要的能量稱為一級電離電位。離子中的外層電子也能被激發(fā)，其所需的能量即為相應離子的激發(fā)電位。處于激發(fā)態(tài)的原子是十分不穩(wěn)定的，在極短的時間內便躍遷至基態(tài)或其它較低的能級上。

式中I為透射光強度，I0為發(fā)射光強度，T為透射比，L為光通過原子化器光程由于L是不變值所以A=KC。
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