1.光譜分析儀（輻射計(jì)）系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)
光譜分析儀（輻射計(jì)）系統(tǒng)采用的全息平場(chǎng)凹面衍射光柵和高性能帶電子快門控制技術(shù)的線性CCD陣列探測(cè)器組成。并采用控制雜散光技術(shù)、精密陣列探測(cè)器電子驅(qū)動(dòng)技術(shù)和寬動(dòng)態(tài)線性技術(shù)，整個(gè)系統(tǒng)達(dá)到雜散低、動(dòng)態(tài)范圍寬、毫秒級(jí)的測(cè)試速度及傳統(tǒng)機(jī)械式光譜儀的高精度要求。
2.光譜分析儀（輻射計(jì)）系統(tǒng)組成

CMS光譜分析儀（輻射計(jì)）、積分球、精密交直流電源、校準(zhǔn)定標(biāo)系統(tǒng)及其他高精度儀器等組成。
3.光譜分析儀（輻射計(jì)）系統(tǒng)參考標(biāo)準(zhǔn)（LED模組、LED燈、LED燈具的光色電參數(shù)測(cè)量部分標(biāo)準(zhǔn)）：

CIE13.3:1995MethodofMeasuringandSpecifyingColorRenderingofLightSources
CIE84：1989 Measurementofluminoulux
CIE127-2007MeasurementofLEDs
CIE15-2004 Colorimery
CIE177-2007ColourRenderingofWhiteLEDLightSources
IESNALM-79ElectricalandPhotometricMesaurementsofSolid-StateLiguting
......
4.光譜分析儀（輻射計(jì)）系統(tǒng)測(cè)量參數(shù)：  

色品坐標(biāo)（x,y）、相關(guān)色溫、光通量、光效、能效指數(shù)（EEI）、能效等級(jí)、顯色指數(shù)、顏色質(zhì)量量表、色品坐標(biāo)（u,v）、色品坐標(biāo)（u`,v`）、主波長、色純度、峰值半寬度、色比、光輻射功率、瞳孔光通量、瞳孔光效、司晨視覺光通量、中間視覺光通量及電參數(shù)等參數(shù)。

光譜儀，又稱分光儀，廣泛為認(rèn)知的為直讀光譜儀。以光電倍增管等光探測(cè)器測(cè)量譜線不同波長位置強(qiáng)度的裝置。其構(gòu)造由一個(gè)入射狹縫，散系統(tǒng)，一個(gè)成像系統(tǒng)和一個(gè)或多個(gè)出射狹縫組成。以色散元件將輻射源的電磁輻射分離出所需要的波長或波長區(qū)域，并在選定的波長上（或掃描某一波段）進(jìn)行強(qiáng)度測(cè)定。分為單色儀和多色儀兩種。

該款光譜儀操作簡(jiǎn)單、維護(hù)方便，利用衍射光柵對(duì)光譜進(jìn)行測(cè)量，波長范圍覆蓋600～1700nm，波長分辨率在0.02～2.0nm之間，小接收靈敏度為-90dBm，并可依靠橫河特有技術(shù)在0.2秒內(nèi)完成對(duì)100nm的掃描。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
對(duì)目前一些新的測(cè)試需要增加以下測(cè)量分析功能：
1.數(shù)據(jù)日志功能
對(duì)WDM、DFB-LD、標(biāo)記等多種數(shù)據(jù)的分析按照預(yù)設(shè)的時(shí)間進(jìn)行掃描，記錄相關(guān)分析結(jié)果的變化以及各個(gè)時(shí)間點(diǎn)的光譜。
2.門控采樣功能
在仿真超長距離傳輸?shù)沫h(huán)路實(shí)驗(yàn)中，接收實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的門控，對(duì)特定的光譜進(jìn)行掃描測(cè)量。
3.分辨率校正功能
利用窄線寬光源對(duì)OSA的分辨進(jìn)行校正，改善對(duì)寬譜光源功率密度測(cè)試的精度。
4.標(biāo)記功能
優(yōu)化以前標(biāo)記點(diǎn)的功率讀取功能，可以直接對(duì)標(biāo)記點(diǎn)為中心的波長范圍內(nèi)的積分功率進(jìn)行讀取，應(yīng)用于各類OSNR的測(cè)量分析。

技術(shù)性能及指標(biāo)

1.   分光室設(shè)計(jì)

  帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

  波長范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級(jí)光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測(cè)器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時(shí)間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

  高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺(tái)

  3mm樣品臺(tái)分析間隙

  噴射電極技術(shù)

  設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機(jī)功率70W
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