原子發(fā)射光譜分析是根據(jù)原子所發(fā)射的光譜來(lái)測(cè)定物質(zhì)的化學(xué)組分的。不同物質(zhì)由不同元素的原子所組成，而原子都包含著一個(gè)結(jié)構(gòu)緊密的原子核，核繞著不斷運(yùn)動(dòng)的電子。每個(gè)電子處于一定的能級(jí)上，具有一定的能量。在正常的情況下，原子處于穩(wěn)定狀態(tài)，它的能量是的，這種狀態(tài)稱為基態(tài)。但當(dāng)原子受到能量（如熱能、電能等）的作用時(shí)，原子由于與高速運(yùn)動(dòng)的氣態(tài)粒子和電子相互碰撞而獲得了能量，使原子中外層的電子從基態(tài)躍遷到更高的能級(jí)上，處在這種狀態(tài)的原子稱激發(fā)態(tài)。電子從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)所需的能量稱為激發(fā)電位，當(dāng)外加的能量足夠大時(shí)，原子中的電子脫離原子核的束縛力，使原子成為離子，這種過(guò)程稱為電離。原子失去一個(gè)電子成為離子時(shí)所需要的能量稱為一級(jí)電離電位。離子中的外層電子也能被激發(fā)，其所需的能量即為相應(yīng)離子的激發(fā)電位。處于激發(fā)態(tài)的原子是十分不穩(wěn)定的，在極短的時(shí)間內(nèi)便躍遷至基態(tài)或其它較低的能級(jí)上。

直讀光譜儀OES1000采用光電倍增管（PMT）技術(shù)和特光路設(shè)計(jì)使其具有優(yōu)能，尤其對(duì)真空紫外譜線（涉及C、P、S、B、Sn等元素）、常量和痕量含量元素的檢測(cè)有特優(yōu)勢(shì)，是追求高性能測(cè)試用戶的。
全天候工作，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性
樣品測(cè)試速度快，單次測(cè)試過(guò)程少于40秒
軟件可對(duì)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)判定牌
儀器使用和維護(hù)簡(jiǎn)單、方便，對(duì)人員要求低
原廠安裝分析程序，測(cè)試數(shù)據(jù)，適用合齊全
配置標(biāo)準(zhǔn)化樣品可對(duì)儀器進(jìn)行周期性校正
不使用化學(xué)試劑，測(cè)試過(guò)程安全、環(huán)保

技術(shù)性能及參數(shù)

1.分光室設(shè)計(jì)
帕邢-龍格裝置，1米焦距
根據(jù)測(cè)試需求分為真空型（真空度≤a）、空氣型兩種
恒溫控制（32℃±0.1℃）
材質(zhì)鑄造，保證光室形變小
2.多安裝通道 32
3.凹面光柵
刻線密度2160gr/mm
曲率半徑998.8mm
逆線色散率0.47nm/mm
波長(zhǎng)范圍170-463nm
4.狹縫寬度
入射狹縫20μm，
出射狹縫為整體狹縫，寬度為35-75μm
5.光電倍增管
10級(jí)側(cè)窗型，熔融石英或玻璃外殼；
6.分析時(shí)間
依樣品種類而不同，一般少于40秒
7.激發(fā)光源
高能預(yù)火花光源（HEPS），放電頻率100-900Hz，電極間距3-4mm
8.測(cè)光方式
采用光電倍增管檢測(cè)器測(cè)光，光電倍增管負(fù)高壓連續(xù)可調(diào)，傳統(tǒng)的分段積分法
9.控制系統(tǒng)
采用FPGA技術(shù)控制整個(gè)儀器的工作狀態(tài)
10.尺寸和重量
尺寸：1680(長(zhǎng))×1020(寬)×1(高)mm
重量：約500kg

應(yīng)用領(lǐng)域

金屬材料元素含量測(cè)試是金屬冶煉、鑄造、加工以及機(jī)械行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)控制、質(zhì)量檢驗(yàn)等相關(guān)工作的傳統(tǒng)測(cè)試項(xiàng)目。
天瑞儀器直讀光譜儀廣泛應(yīng)用于鋼鐵、有色金屬材料元素含量分析,可快速、、穩(wěn)定、同時(shí)測(cè)試幾十種元素, 測(cè)試過(guò)程便捷、環(huán)保、低成本，滿足工業(yè)研發(fā)、工藝控制、進(jìn)料檢驗(yàn)、產(chǎn)品分選等多方面的需求。
天瑞儀器直讀光譜儀的快速測(cè)試使研發(fā)、生產(chǎn)過(guò)程和質(zhì)量更可控，幫助用戶提升產(chǎn)品的技術(shù)、質(zhì)量水平；使相關(guān)流程加快，為用戶創(chuàng)造明顯的經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)保效益。直讀光譜儀已成為衡量企業(yè)技術(shù)和質(zhì)量水平的標(biāo)志性設(shè)備。

如果將一定外界能量如光能提供給該基態(tài)原子，當(dāng)外界光能量E恰好等于該基態(tài)原子中基態(tài)和某一較高能級(jí)之間的能級(jí)差E時(shí)，該原子將吸收這一特征波長(zhǎng)的光，外層電子由基態(tài)躍遷到相應(yīng)的激發(fā)態(tài)。原來(lái)提供能量的光經(jīng)分光后譜線中缺少了一些特征光譜線，因而產(chǎn)生原子吸收光譜。

技術(shù)性能及指標(biāo)

1.   分光室設(shè)計(jì)

  帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

  波長(zhǎng)范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級(jí)光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測(cè)器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時(shí)間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

  高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺(tái)

  3mm樣品臺(tái)分析間隙

  噴射電極技術(shù)

  設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長(zhǎng)900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機(jī)功率70W
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