發(fā)射光譜分析是根據(jù)被測(cè)原子或分子在激發(fā)狀態(tài)下發(fā)射的特征光譜的強(qiáng)度計(jì)算其含量。

當(dāng)原子從較高能級(jí)躍遷到基態(tài)或其它較低的能級(jí)的過(guò)程中，將釋放出多余的能量，這種能量是以一定波長(zhǎng)的電磁波的形式輻射出去的，其輻射的能量可用下式表示：（1）E2、E1分別為高能級(jí)、低能級(jí)的能量，h為普朗克（Planck）常數(shù)；v及λ分別為所發(fā)射電磁波的頻率及波長(zhǎng)，c為光在真空中的速度。

原子發(fā)射光譜分析是根據(jù)原子所發(fā)射的光譜來(lái)測(cè)定物質(zhì)的化學(xué)組分的。不同物質(zhì)由不同元素的原子所組成，而原子都包含著一個(gè)結(jié)構(gòu)緊密的原子核，核繞著不斷運(yùn)動(dòng)的電子。每個(gè)電子處于一定的能級(jí)上，具有一定的能量。在正常的情況下，原子處于穩(wěn)定狀態(tài)，它的能量是的，這種狀態(tài)稱(chēng)為基態(tài)。但當(dāng)原子受到能量（如熱能、電能等）的作用時(shí)，原子由于與高速運(yùn)動(dòng)的氣態(tài)粒子和電子相互碰撞而獲得了能量，使原子中外層的電子從基態(tài)躍遷到更高的能級(jí)上，處在這種狀態(tài)的原子稱(chēng)激發(fā)態(tài)。電子從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)所需的能量稱(chēng)為激發(fā)電位，當(dāng)外加的能量足夠大時(shí)，原子中的電子脫離原子核的束縛力，使原子成為離子，這種過(guò)程稱(chēng)為電離。原子失去一個(gè)電子成為離子時(shí)所需要的能量稱(chēng)為一級(jí)電離電位。離子中的外層電子也能被激發(fā)，其所需的能量即為相應(yīng)離子的激發(fā)電位。處于激發(fā)態(tài)的原子是十分不穩(wěn)定的，在極短的時(shí)間內(nèi)便躍遷至基態(tài)或其它較低的能級(jí)上。

技術(shù)性能及指標(biāo)

1.   分光室設(shè)計(jì)

  帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

  波長(zhǎng)范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5

2.   凹面光柵

  刻線(xiàn)密度3600l/mm

  一級(jí)光譜線(xiàn)色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測(cè)器

  高性能線(xiàn)陣CMOS

4.   分析時(shí)間

  依樣品種類(lèi)而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

  高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺(tái)

  3mm樣品臺(tái)分析間隙

  噴射電極技術(shù)

  設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長(zhǎng)900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機(jī)功率70W
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