技術(shù)性能及指標(biāo)

1.   分光室設(shè)計(jì)

  帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

  波長(zhǎng)范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級(jí)光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測(cè)器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時(shí)間

  依樣品種類(lèi)而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

  高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺(tái)

  3mm樣品臺(tái)分析間隙

  噴射電極技術(shù)

  設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長(zhǎng)900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機(jī)功率70W

如果將一定外界能量如光能提供給該基態(tài)原子，當(dāng)外界光能量E恰好等于該基態(tài)原子中基態(tài)和某一較高能級(jí)之間的能級(jí)差E時(shí)，該原子將吸收這一特征波長(zhǎng)的光，外層電子由基態(tài)躍遷到相應(yīng)的激發(fā)態(tài)。原來(lái)提供能量的光經(jīng)分光后譜線中缺少了一些特征光譜線，因而產(chǎn)生原子吸收光譜。

式中I為透射光強(qiáng)度，I0為發(fā)射光強(qiáng)度，T為透射比，L為光通過(guò)原子化器光程由于L是不變值所以A=KC。

能量的能級(jí)狀態(tài)稱(chēng)為基態(tài)能級(jí)（E0=0），其余能級(jí)稱(chēng)為激發(fā)態(tài)能級(jí)，而能的激發(fā)態(tài)則稱(chēng)為激發(fā)態(tài)。正常情況下，原子處于基態(tài)，核外電子在各自能量的軌道上運(yùn)動(dòng)。
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